图9-18为三极型离子镀构造表示图，它是针对二极型离子镀正在低气压下难以激起以及维持辉光放电的成绩，正在蒸发祥与基体之间退出了热电子发射极(一般是钨丝)以及搜集电子的正极，使患上热发射的电子横越时，与蒸发的粒子流发作碰撞孕育发生电离，以此来进步离化率。

图9-18三极型离子镀

1一阳极2一进气口3一蒸发祥4一电子排汇极5一基板6一电子发射极  7不断流电源8一真空室9一蒸发电源10一真空零碎

DC二极型离子镀的离化率只有百分之零点几到～2%，而三极型的热电子发射可达10A，搜集极电压为200v如下，与DC二极型相比，离化率明显进步，基体电流密度可进步10～20倍。

三极型离子镀也称为热电子加强型离子镀，实际上属于弧光放电孕育发生等离子体。其特性是：①依托热阴极灯丝电流以及阳极电压的变动，能够自力管制放电前提，从而可无效地管制膜层的晶体构造、硬度等功能;②主阴极(基片)所加维持辉光放电的电压较低，缩小了能量太高的离子对基片的轰击作用，使基片温升失去管制;③工作气压可正在0.133Pa，低于二极型离子镀，镀层光泽而致密。